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 Analysis of Single Event Response and Hardening Methods in 1.2 kV SiC Power MOSFET With Multicell and Termination Structure 1.2 kV多单元端接SiC功率MOSFET的单事件响应分析及硬化方法
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jiang Lu; Wenjun Song; Tao Liu; Jun Tang; Zhao We; et al 出版日期：2023-10-09 |
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