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Doping with FeSe greatly enhances mobility in topological insulator Bi2Se3 single crystals FeSe掺杂大大提高了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的迁移率
相关领域
拓扑绝缘体
凝聚态物理
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:M. I. Bannikov; Yurii G. Selivanov; V. P. Martovitskiĭ; V. A. Prudkoglyad; A. Yu. Kuntsevich 出版日期:2025-01-15 |
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