Residual stress analysis of 4H-SiC crystals obtained by a top-seeded solution growth method

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标题	Residual stress analysis of 4H-SiC crystals obtained by a top-seeded solution growth method 顶部晶种法生长4H-SiC晶体的残余应力分析相关领域播种残余应力材料科学 Crystal（编程语言）晶体生长压力（语言学）残余物晶种结晶学复合材料化学单晶计算机科学算法农学生物语言学哲学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1039/c7ce01641g
DOI	10.1039/c7ce01641g doi
其它	期刊：CrystEngComm 作者：Yeong-Jae Yu; Dae-Seop Byeon; Yun‐Ji Shin; Su-Hun Choi; Myung‐Hyun Lee; et al 出版日期：2017-01-01
求助人	yuxin 在 2025-05-11 15:22:45 发布自北京，悬赏 10 积分
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