Residual stress analysis of 4H-SiC crystals obtained by a top-seeded solution growth method

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作者
Yeong-Jae Yu,Dae‐Seop Byeon,Yun‐Ji Shin,Su-Hun Choi,Myung‐Hyun Lee,Won–Jae Lee,Seong‐Min Jeong
出处
期刊:CrystEngComm [Royal Society of Chemistry]
卷期号:19 (45): 6731-6735 被引量:4
标识
DOI:10.1039/c7ce01641g
摘要

The top-seeded solution growth (TSSG) method is an alternative technique for growing SiC which can reduce the defect levels in the crystal.
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