A Slanted-Channel GaN p-FET with Dual-Mode Operation: Transistor-Like Forward and Diode-Like Reverse Conduction

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标题	A Slanted-Channel GaN p-FET with Dual-Mode Operation: Transistor-Like Forward and Diode-Like Reverse Conduction
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-026-130...
DOI	10.1007/s11664-026-13021-7 doi
其它	期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Yang Yang; Sen Huang; Xingyu Fu; Xinhua Wang; Xinguo Gao; et al 出版日期：2026-07-18
求助人	LuoYixiang 在 2026-08-11 11:01:13 发布自江苏，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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