Epi Source-Drain Damage Mitigation During Channel Release of Stacked Nanosheet Gate-All-Around Transistors

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标题	Epi Source-Drain Damage Mitigation During Channel Release of Stacked Nanosheet Gate-All-Around Transistors
网址	https://doi.org/10.1149/11201.0045ecst
DOI	10.1149/11201.0045ecst doi
其它	期刊：ECS Transactions 作者：Curtis Durfee; Ivo Otto IV; Subhadeep Kal; Shanti Pancharatnam; Matthew Flaugh; et al 出版日期：2023
求助人	落寞晓兰在 2026-06-18 19:04:33 发布自安徽，悬赏 10 积分
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