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 GaN HEMTs on 4H-SiC/Diamond Engineered Substrate with Enhanced Heat Dissipation 相关领域
材料科学
光电子学
消散
结温
电子设备和系统的热管理
基质（水族馆）
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高电子迁移率晶体管
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yipei Lei; Xin-Hua Wang; Fengwen Mu; Guanjun Jing; Guoliang Ma; et al 出版日期：2025-01-01 |
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(2025-6-4)
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