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 Low-resistance contacts for p-type monolayer tungsten diselenide transistors using metallic layered Nb0.3W0.7Se2 相关领域
二硒化钨
单层
材料科学
晶体管
接触电阻
光电子学
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钨
纳米技术
石墨烯
二硒醚
过渡金属
氧化物
薄膜晶体管
金属
钨化合物
场效应晶体管
应变工程
电介质
带隙
工作职能
沉积（地质）
纳米电子学
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期刊：Nature electronics 作者：Z. Sun; Aryan Afzalian; Peng Wu; H. R. Zhang; Sergiy Krylyuk; et al 出版日期：2026-03-16 |
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