| 标题 |
 Sub-$\mu$m Gate-All-Around-Like Amorphous-InGaZnO Transistors With Record-High $f_{\text{T}}$ of 2.09 GHz |
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shu-Wei Chang; Hsin-Hui Hu; Chenwei Wu; Wen-Hsiang Lu; Wen-Hsi Lee; et al 出版日期：2024-08-01 |
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