Effect of gate edge recess etching on the leakage current in AlGaN/GaN HEMTs

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标题	Effect of gate edge recess etching on the leakage current in AlGaN/GaN HEMTs 栅极边缘凹槽刻蚀对AlGaN/GaN HEMTs漏电流的影响
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.4781589
DOI	10.1063/1.4781589 doi
求助人	happystarr 在 2025-07-05 22:26:47 发布自江苏，悬赏 10 积分
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