Virtual FAB Semiconductor Process Modeling Augmented Vertical Gate All Around Complementary FET Based 6T SRAM Path-Finding

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标题	Virtual FAB Semiconductor Process Modeling Augmented Vertical Gate All Around Complementary FET Based 6T SRAM Path-Finding 虚拟晶圆厂半导体工艺建模基于增强垂直栅极全方位互补场效应管的6T SRAM寻路相关领域寄生提取静态随机存取存储器电子工程 CMOS芯片逻辑门晶体管 PMOS逻辑路径（计算）计算机科学平面的过程（计算）半导体器件建模 MOSFET 电气工程工程类电压计算机图形学（图像）程序设计语言操作系统
网址	https://doi.org/10.1109/cstic61820.2024.10531984
DOI	10.1109/cstic61820.2024.10531984 doi
其它	期刊：作者：Zhaohai Di; Yanna Luo; Haoqing Xu; Hao He; Huaxiang Yin; et al 出版日期：2024-03-17
求助人	李沐唅在 2025-05-08 15:44:13 发布自贵州，悬赏 10 积分
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