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 Investigation and reduction of RF loss induced by Al diffusion at the AlN/Si(111) interface in GaN-based HEMT buffer stacks GaN基HEMT缓冲层AlN/Si（111）界面Al扩散引起的射频损耗研究与降低
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：C. Mauder; Hernsoo Hahn; M. Marx; Z. Gao; R Oligschlaeger; et al 出版日期：2021-06-03 |
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