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标题
Role of in-situ SiNx in ohmic contact realization in AlN/GaN HEMTs
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DOI
10.1007/s10854-025-15443-1 doi
其它 期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics
作者: Chanchal; Niraj Kumar; Amit; Robert Laishram; Sonalee Kapoor; et al
出版日期:2025
求助人
科研麻瓜 在 2026-03-06 11:33:12 发布自湖北,悬赏 10 积分
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