| 标题 |
27 mΩ-cm/sup 2/, 1.6 kV power DiMOSFETs in 4H-SiC |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Proceedings of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics 作者: Sei-Hyung Ryu; A. Agarwal; J. Richmond; J. Palmour; N. Saks; J. Williams 出版日期:2000 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)