SiC trench MOSFET with heterojunction diode for low switching loss and high short‐circuit capability

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标题	[高分] SiC trench MOSFET with heterojunction diode for low switching loss and high short‐circuit capability 相关领域材料科学 MOSFET 光电子学沟槽二极管异质结制作电气工程图层（电子）电压晶体管工程类纳米技术医学病理替代医学
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1049/iet-pel.2019...
DOI	10.1049/iet-pel.2019.0035 doi
其它	期刊：IET Power Electronics 作者：Junjie An; Shengdong Hu 出版日期：2019-04-04
求助人	LH 在 2026-06-11 13:30:14 发布自重庆，悬赏 100 积分
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