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 Unleashing Endurance Limits of Emerging Memory: Multi-Level FeRAM Recovery Array Empowered by a Coordinated Inverting Amplifier Circuit 释放新兴存储器的耐久性极限：由协调反相放大器电路支持的多级FeRAM恢复阵列
相关领域
铁电RAM
放大器
计算机科学
电气工程
材料科学
嵌入式系统
工程类
CMOS芯片
电容器
电压
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：K.-Y. Hsiang; F.-S. Chang; Zhenxiu Lou; Abhijit Aich; A. Senapati; et al 出版日期：2024-02-13 |
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