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 Design and Optimization of a Heterojunction (Ge/Si) Vertical-Tunnel Field Effect Transistor (HV-TFET) with a Doped Bar for Low-Power Applications 低功耗掺杂棒异质结（Ge/Si）垂直隧道场效应晶体管（HV-TFET）的设计与优化
相关领域
异质结
巴（单位）
兴奋剂
隧道场效应晶体管
场效应晶体管
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Pradeep Kumar Kumawat; Shilpi Birla; Neha Singh 出版日期：2024-05-24 |
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