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Antiferroelectric Phase Evolution in HfxZr1-xO2 Thin Film Toward High Endurance of Non-Volatile Memory Devices |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Danyang Chen; Shuman Zhong; Yulong Dong; Tianning Cui; Jingquan Liu; et al 出版日期:2022-12-01 |
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