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β -Ga2O3 Schottky barrier diodes with 4.1 MV/cm field strength by deep plasma etching field-termination |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Sushovan Dhara; Nidhin Kurian Kalarickal; Ashok Dheenan; Chandan Joishi; Siddharth Rajan 出版日期:2022-11-14 |
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