Grain size engineering via a Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 seed layer for FeFET memory and synaptic devices

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标题	Grain size engineering via a Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 seed layer for FeFET memory and synaptic devices
网址	http://dx.doi.org/10.1039/d4nr05381h
DOI	10.1039/d4nr05381h doi
其它	期刊：Nanoscale 作者：Junhyeok Park; Chulwon Chung; Boncheol Ku; Seunghyeon Yun; Kyungsoo Park; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	kai 在 2026-08-26 15:42:03 发布自湖南，悬赏 10 积分
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