The Impact of High-voltage Drift N-well and Shallow Trench Isolation Layouts on Electrical Characteristics of LDMOSFETs

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标题	The Impact of High-voltage Drift N-well and Shallow Trench Isolation Layouts on Electrical Characteristics of LDMOSFETs
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4446226/4450045/04450113...
DOI	10.1109/edssc.2007.4450113 doi
其它	期刊：International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits 作者：C. Huang; B. Tsui; Hsu-Tang Liu; Geeng-Lih Lin 出版日期：2007-12-01
求助人	hong 在 2026-08-10 16:20:40 发布自重庆，悬赏 10 积分
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