| 标题 |
 Surface states on (001) oriented β -Ga2O3 epilayers, their origin, and their effect on the electrical properties of Schottky barrier diodes 相关领域
肖特基势垒
费米能级
肖特基二极管
材料科学
表面状态
凝聚态物理
工作职能
空位缺陷
带隙
外延
二极管
光电子学
纳米技术
物理
曲面（拓扑）
图层（电子）
电子
几何学
量子力学
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Ravikiran Lingaparthi; Quang Tu Thieu; Kimiyoshi Koshi; Daiki Wakimoto; Kohei Sasaki; et al 出版日期：2020-03-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
无极微光
Copyright
OK
乐空思
Nole
健壮的书桃
cdercder
yjh123
学术文献互助
斯文钢笔
GingerF
sagitar
微笑谷雪
初景
arniu2008
行走的荷尔蒙
科研狗
Criminology34
殷勤的紫槐
皖公网安备34019202002308
