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 A design methodology for highly reliable operation for 2T0C dynamic random access memory application based on IGZO channel-all-around ferroelectric field-effect transistors 相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Jing Liang; Peng Yuan; Yong Yu; Jinjuan Xiang; Zhengyong Zhu; et al 出版日期：2024-04-30 |
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