First demonstration of DG monolayer MoS 2 FETs with 0.3 nm-thin contact extensions achieving near immunity to SCEs at L CH =20 nm and g m =206 μS/μm

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标题	First demonstration of DG monolayer MoS 2 FETs with 0.3 nm-thin contact extensions achieving near immunity to SCEs at L CH =20 nm and g m =206 μS/μm
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11353461/11353475/113538...
DOI	10.1109/iedm50572.2025.11353892 doi
其它	期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Jun Cai; Hao-Yu Lan; Yuanqiu Tan; Zhihong Chen; Joerg Appenzeller 出版日期：2026-01-31
求助人	月月在 2026-06-06 21:06:15 发布自江苏，悬赏 10 积分
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