| 标题 |
Investigation of the Off-State Degradation in Advanced FinFET Technology—Part II: Compact Aging Model and Impact on Circuits 先进FinFET技术中关态退化的研究。第二部分:紧凑老化模型及其对电路的影响
相关领域
降级(电信)
环形振荡器
外推法
可靠性(半导体)
电路可靠性
材料科学
MOSFET
电子工程
负偏压温度不稳定性
节点(物理)
电子线路
逻辑门
计算机科学
电气工程
工程类
晶体管
CMOS芯片
物理
电压
功率(物理)
结构工程
量子力学
数学分析
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Zixuan Sun; Zirui Wang; Runsheng Wang; Lining Zhang; Jiayang Zhang; et al 出版日期:2023-02-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)