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Research Progress in Breakdown Enhancement for GaN-Based High-Electron-Mobility Transistors GaN基高电子迁移率晶体管击穿增强研究进展
相关领域
击穿电压
光电子学
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期刊:Electronics 作者:Zhiwen Tian; Xuan Ji; Dongwei Yang; Peng Liu 出版日期:2023-10-27 |
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