Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p–n diode with avalanche capability

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标题	Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p–n diode with avalanche capability
网址	https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab106c
DOI	10.7567/1347-4065/ab106c doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Hayata Fukushima; Shigeyoshi Usami; Masaya Ogura; Yuto Ando; Atsushi Tanaka; et al 出版日期：2019-05-28
求助人	ange 在 2026-10-15 16:14:45 发布自广东，悬赏 10 积分
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