In Situ GaN Passivation p-GaN Gate HEMT With Synchronously Improved Baliga’s Figure-of-Merit and Superior Dynamic R ON Robustness

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标题	In Situ GaN Passivation p-GaN Gate HEMT With Synchronously Improved Baliga’s Figure-of-Merit and Superior Dynamic R ON Robustness
网址	https://doi.org/10.1109/led.2025.3604907
DOI	10.1109/led.2025.3604907 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Cheng Yu; Wanjun Chen; Guojian Ding; Fangzhou Wang; Zhuocheng Wang; et al 出版日期：2025-09-02
求助人	无风风在 2026-10-08 19:50:19 发布自北京，悬赏 10 积分
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