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 Physical properties of low-k films based on the co-condensation of methyltrimethoxysilane with a bridged silsesquioxane 基于甲基三甲氧基硅烷与桥联倍半硅氧烷共缩合的低k薄膜的物理性质
相关领域
甲基三甲氧基硅烷
材料科学
复合材料
断裂韧性
电介质
低介电常数
耗散因子
纳米压痕
抗弯强度
模数
共聚物
聚合物
多孔性
光电子学
涂层
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| 其它 |
期刊：Journal of Materials Science 作者：B. R. Kim; Jungwon Kang; K. Y. Lee; Junhyuk Son; Minjin Ko 出版日期：2007-02-15 |
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