In-Situ Monitoring of Self-Heating Effect in Aggressively Scaled FinFETs and Its Quantitative Impact on Hot Carrier Degradation Under Dynamic Circuit Operation

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标题	In-Situ Monitoring of Self-Heating Effect in Aggressively Scaled FinFETs and Its Quantitative Impact on Hot Carrier Degradation Under Dynamic Circuit Operation
网址	https://doi.org/10.1109/IRPS45951.2020.9129591
DOI	10.1109/IRPS45951.2020.9129591 doi
其它	期刊：2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：Yiming Qu; Jiwu Lu; Junkang Li; Zhuo Chen; Jie Zhang; et al 出版日期：2020
求助人	混子王在 2026-03-10 19:16:35 发布自北京，悬赏 10 积分
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