High-Current E-Mode InGaN/GaN p-FET on p-GaN Gate HEMT Platform

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标题	High-Current E-Mode InGaN/GaN p-FET on p-GaN Gate HEMT Platform
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3520582
DOI	10.1109/led.2024.3520582 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jingjing Yu; Jin Wei; Junjie Yang; Teng Li; Han Yang; et al 出版日期：2024-12-20
求助人	欲由心生在 2026-09-16 11:05:54 发布自浙江，悬赏 10 积分
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