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 Ferroelectric polarization-enhanced back-illuminated GaN-based ultraviolet avalanche photodiodes with a ScGaN interlayer 相关领域
材料科学
光学
光电子学
铁电性
雪崩光电二极管
光电探测器
紫外线
紫外线辐射
光电二极管
近紫外
量子效率
折射率
反射率
光强度
硅
光散射
电场
激光束
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期刊：Opt Lett 作者：Xu G, Xiong F, Wang J, Zhi T, Parkhomenko IN, Komarov FF, Chen D, Xue J 出版日期：2026-04-01 |
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