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C4F6 Etching Characteristics for High‐Aspect‐Ratio Etching of SiO2 Films Using an Inductively Coupled Plasma Etching System With Low‐Frequency Bias Power |
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期刊:Plasma Processes and Polymers 作者:Jiachen Wei; Byung-Il Woo; D. Lee; K. Jeong; Kwang‐Ho Kwon 出版日期:2025-04-02 |
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(2025-6-4)