Leakage current reduction in finfet based 6T SRAM cell for minimizing power dissipation in nanoscale memories

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标题	Leakage current reduction in finfet based 6T SRAM cell for minimizing power dissipation in nanoscale memories
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7446021/7449587/07449596...
DOI	10.1109/nuicone.2015.7449596 doi
其它	期刊：Nirma University International Conference on Engineering 作者：Vishal Gupta; V. Gupta; Saurabh Khandelwal; B. Raj; R. Gupta 出版日期：2015-11-01
求助人	偷吃月亮在 2026-08-07 16:49:19 发布自上海，悬赏 10 积分
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Institute for Operations Research and the Management Sciences

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