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 Highly flexible vertical electrolyte-gated metal oxide transistors for neuromorphic electronics 相关领域
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期刊：Proc Natl Acad Sci U S A 作者：Ma Q, Feng X, Wang H, Chen S, Xue D, Wang X, Li C, Yao Y, Liu L, Xue E, Forti G, Huang W, Huang L, Sun L, Cho JH, Chi L, Marks TJ, Facchetti A, Wang B 出版日期：2026-08-03 |
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