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 An analytical interpretation of the memory window in ferroelectric field-effect transistors 铁电场效应晶体管中存储窗口的解析解释
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Sijung Yoo; Duk‐Hyun Choe; H. J. Lee; Sanghyun Jo; Yun‐Sung Lee; et al 出版日期：2023-11-27 |
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