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 Impact of Interface Traps and Surface Roughness on the Device Performance of Stacked-Nanowire FETs 界面陷阱和表面粗糙度对堆叠纳米线场效应晶体管器件性能的影响
相关领域
纳米线
材料科学
表面粗糙度
不相关
场效应晶体管
晶体管
散射
硅
表面光洁度
光电子学
纳米技术
物理
光学
复合材料
电压
数学
统计
量子力学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jinyoung Park; Changhwan Shin 出版日期：2017-08-29 |
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