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标题
Dislocation-assisted electron and hole transport in GaN epitaxial layers
GaN外延层中位错辅助电子和空穴输运
相关领域
外延 位错 材料科学 光电子学 电子 凝聚态物理 电子传输链 纳米技术 物理 化学 图层（电子） 复合材料 生物化学 量子力学
网址
https://www.nature.com/articles/s41467-025-61510-w.pdf
AI链接 nature.com nature.com nih.gov doaj.org nih.govdoi.org
DOI
10.1038/s41467-025-61510-w doi
其它 期刊：Nature Communications
作者：Yixu Yao; Sen Huang; Ruyue Cao; Zhaofu Zhang; Xinhua Wang; et al
出版日期：2025-07-12
求助人
lsx 在 2025-12-22 15:05:32 发布自上海，悬赏 10 积分
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