| 标题 |
 β Ga 2 O 3 / p-Si (100) based vertical diode deposited using RF sputtering for rectifier design 相关领域
微晶
二极管
饱和电流
光电子学
溅射
整改
异质结
肖特基二极管
载流子寿命
分析化学（期刊）
带隙
饱和（图论）
电流密度
溅射沉积
薄脆饼
热的
击穿电压
整流器（神经网络）
反向漏电流
硅
热稳定性
材料科学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Micro and Nanostructures 作者：Mandira Biswas; Lalit Katariya; Franco Mayanglambam; Shubhankar Majumdar; Ankush Bag 出版日期：2025-12-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
aajhajkahna
秋风
无极微光
Criminology34
null
GingerF
印第安老斑鸠
FIN
初景
cdercder
乐空思
Nole
XX
DW
年轻的煎饼
七月流火
曾恒敬
kekekekekeke
OK
皖公网安备34019202002308
