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 Non-radiative recombination centres in InGaN/GaN nanowires revealed by statistical analysis of cathodoluminescence intensity maps and electron microscopy 阴极发光强度图的统计分析和电子显微镜揭示InGaN/GaN纳米线中的非辐射复合中心
相关领域
阴极发光
材料科学
纳米线
强度（物理）
光电子学
重组
电子显微镜
辐射传输
电子
光学
发光
物理
生物化学
量子力学
基因
化学
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| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nanotechnology 作者：A. Quach; N. Rochat; Jean‐Luc Rouvière; Jérôme Napierala; B. Daudin 出版日期：2024-09-19 |
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