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 Polarization induced self-doping effects and p-n junctions in heterostructures based on F-GaN-H stacking 基于F-GaN-H堆叠的异质结构中的极化诱导自掺杂效应和p-n结
相关领域
堆积
材料科学
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单层
极化（电化学）
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物理
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期刊：Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 作者：Fangping Wang; Enling Li; Zhen Cui; Pengfei Shen; Hongyuan Zhao; et al 出版日期：2022-09-26 |
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