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标题
Enhanced microstructure and electrical performance of a cost-effective Ni/Cu/n-GaN Schottky diode with a V2O5 interlayer for optoelectronic applications
具有V2O5夹层的高性价比Ni/Cu/n-GaN肖特基二极管的增强微结构和电性能
相关领域
材料科学 微观结构 光电子学 肖特基二极管 二极管 肖特基势垒 冶金
网址
https://doi.org/10.1007/s10854-025-14466-y
DOI
10.1007/s10854-025-14466-y doi
其它 期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics
作者：Karri Aswini; K. Munirathnam; V. Manjunath; N. Nanda Kumar Reddy; Salh Alhammadi; et al
出版日期：2025-03-01
求助人
科研小张 在 2025-12-04 22:55:50 发布自广西，悬赏 10 积分
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