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标题
Interlayer doping with p-type dopant for charge balance in indium phosphide (InP)-based quantum dot light-emitting diodes
相关领域
材料科学 光电子学 量子点 磷化铟 兴奋剂 二极管 掺杂剂 量子效率 发光二极管 载流子 铟 砷化镓
网址
https://www.osapublishing.org/viewmedia.cfm?URI=oe-27-16-A12...
AI链接 doi.org nih.govdoi.org
DOI
10.1364/oe.27.0a1287 doi
其它 期刊：Optics Express
作者：Hyejin Kim; Woosuk Lee; Hyungsuk Moon; Sun Jung Kim; Ho Kyoon Chung; Heeyeop Chae
出版日期：2019-07-29
求助人
学子 在 2025-11-06 16:54:03 发布自河南，悬赏 10 积分
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