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 Thick crack-free {113} epitaxial boron-doped diamond layers for power electronics—Deposition with nitrogen addition and high microwave power 用于电力电子学的厚无裂纹{113}外延硼掺杂金刚石层。添加氮和高微波功率沉积
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Mahebub Alam; Pavel Hubı́k; Zuzana Gedeonová; Ladislav Fekete; Jaromı́r Kopeček; et al 出版日期：2024-04-15 |
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