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Performance Improvement by SiO₂ Hardmask in 100-nm InP-Based HEMTs for TMIC Applications
用于TMIC应用的100纳米InP基HEMT中SiO₂硬掩模的性能改善
相关领域
钝化 材料科学 苯并环丁烯 光电子学 氮化硅 电介质 晶体管 电子工程 图层（电子） 硅 电气工程 电压 纳米技术 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3262487
DOI
10.1109/ted.2023.3262487 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Shurui Cao; Ruize Feng; Fugui Zhou; Zhiyu Feng; Peng Ding; et al
出版日期：2023-04-03
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