标题 |
![]() 应变弛豫InGaN模板上生长的643 nm红色InGaN多量子阱的结构、光学和电学表征
相关领域
金属有机气相外延
材料科学
发光二极管
光电子学
化学气相沉积
光致发光
量子效率
薄脆饼
宽禁带半导体
量子阱
光学
纳米技术
激光器
外延
物理
图层(电子)
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Advanced Photonics Research 作者:Norleakvisoth Lim; Philip Chan; Hsun–Ming Chang; Vincent Rienzi; Michael J. Gordon; et al 出版日期:2023-01-20 |
求助人 |
ucas
在
2025-07-30 05:40:10 发布,悬赏 10 积分
|
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|