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  Structural, Optical, and Electrical Characterization of 643 nm Red InGaN Multiquantum Wells Grown on Strain‐Relaxed InGaN Templates 应变弛豫InGaN模板上生长的643 nm红色InGaN多量子阱的结构、光学和电学表征
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期刊：Advanced Photonics Research 作者：Norleakvisoth Lim; Philip Chan; Hsun–Ming Chang; Vincent Rienzi; Michael J. Gordon; et al 出版日期：2023-01-20 |
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