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 High voltage carrier stored trench bipolar transistor with common anode polysilicon diodes gate structure for low Miller capacitance and low electromagnetic interference noise 用于低米勒电容和低电磁干扰噪声的具有共阳极多晶硅二极管栅极结构的高压载流子存储沟槽双极晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
电气工程
电容
双极结晶体管
共发射极
扩散电容
二极管
晶体管
电压
化学
电极
工程类
物理化学
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| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yishang Zhao; Zehong Li; Wenjin Hu; Yang Yang; Xiao Zeng; et al 出版日期：2021-03-18 |
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