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 DFT Coupled with NEGF Study of N-Type MOSFET Based on 2D Planar B2S3 Semiconductor 基于二维平面B2S3半导体的N型MOSFET的DFT与NEGF耦合研究
相关领域
平面的
MOSFET
半导体
场效应晶体管
单层
材料科学
阈下摆动
带隙
光电子学
纳米技术
晶体管
电气工程
计算机科学
工程类
电压
计算机图形学（图像）
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期刊：Journal of Physical Chemistry C 作者：Jingwen Zhang; Wenhan Zhou; Chuyao Chen; Jialin Yang; Tingting Guo; et al 出版日期：2022-11-22 |
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