New fabrication method of InGaN laser diode by epitaxial lateral overgrowth and cleavable technique from free-standing non- and semi-polar GaN substrate

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标题	New fabrication method of InGaN laser diode by epitaxial lateral overgrowth and cleavable technique from free-standing non- and semi-polar GaN substrate
网址	http://dx.doi.org/10.1117/12.2584814
DOI	10.1117/12.2584814 doi
其它	期刊：Gallium Nitride Materials and Devices XVI 作者：Takeshi Kamikawa; Srinivas Gandrothula; Hongjian Li; Valeria Bonito-Olivia; Feng Wu; et al 出版日期：2021-03-15
求助人	蓝天在 2026-08-20 18:59:51 发布自山东，悬赏 20 积分
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