Crystal quality and oxygen incorporation in ultra-high-rate GaN growth through oxide vapor-phase epitaxy

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标题	Crystal quality and oxygen incorporation in ultra-high-rate GaN growth through oxide vapor-phase epitaxy
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0331858
DOI	10.1063/5.0331858 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：S. Usami; D. Yamada; R. Higashiyama; M. Imanishi; J. Takino; et al 出版日期：2026-06-01
求助人	flyingbird 在 2026-09-07 10:23:12 发布自江西，悬赏 10 积分
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